[发明专利]半导体结构的分析方法及分析装置有效
| 申请号： | 202011525982.8 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112735963B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张硕 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构的分析方法及分析装置。所述半导体结构的分析方法包括如下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构中具有呈周期性排布的多个重复结构单元；发射一检测光至所述半导体结构，获取经所述半导体结构衍射的空间衍射光强数据；对所述空间衍射光强数据进行傅里叶变换处理，得到多个所述重复结构单元产生的样品衍射图样；根据所述样品衍射图样的光强分布获取所述半导体结构相对于预设基准线的偏转角度；根据所述偏转角度旋转所述半导体结构；拍摄所述半导体结构的图像。本发明对半导体结构的偏转角度进行了自动补偿，提高了后续对半导体结构的特征尺寸进行测量的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 分析 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
