[发明专利]基于错误率的动态存储器刷新控制方法及装置在审
| 申请号： | 202011527038.6 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112652341A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 殷中云;唐越;邓玉良;方晓伟;苏通;朱晓锐 | 申请（专利权）人： | 深圳市国微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G06F11/10 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 赵胜宝 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于错误率的动态存储器刷新控制方法，所述方法包括：根据错误率调整刷新周期；根据调整后的所述刷新周期发送刷新指令。根据动态存储器读取时的错误率而调整DRAM动态存储器的刷新周期，从而可以解决由各种因素导致的存储单元数据保持时间缩短的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 错误率 动态 存储器 刷新 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
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