[发明专利]一种增强型与耗尽型HEMT集成器件及制备方法

摘要

本发明涉及一种增强型与耗尽型HEMT集成器件及制备方法，通过在P型氮化物栅极层上沉积不同应力的介质，对P型氮化物栅极层下方的势垒层应力进行调控，改变其极化电场强度，最终实现P型氮化物栅增强型和耗尽型HEMT器件的单片集成。在制备耗尽型半导体器件时，无需刻蚀栅金属下方的P型氮化物层，栅极金属与半导体接触界面不存在刻蚀损伤，可有效降低器件的栅漏电，提升器件开关电流比，降低功耗；本发明制备的增强型半导体器件，与常规P型氮化物栅增强型HEMT相比，P型氮化物栅极层下方的势垒层极化电场强度减弱，异质结界面极化电荷面密度减少，增强型半导体器件的阈值电压得到进一步提升。