[发明专利]一种快速生长超薄大尺寸单晶过渡金属硫/硒化物的方法在审
申请号: | 202011531495.2 | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN112695381A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 沈俊;鄢江兵;湛立;王旭;张鑫;崔恒清 | 申请(专利权)人: | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
主分类号: | C30B25/02 | 分类号: | C30B25/02;C30B29/46 |
代理公司: | 北京元本知识产权代理事务所(普通合伙) 11308 | 代理人: | 金海荣 |
地址: | 400714 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: |
本发明属于电子元器件领域,具体涉及一种快速生长超薄大尺寸单晶硫化钨的方法。该方法为:S1:一定量高纯硫于石英舟中放置于小石英管的上游;一定量高纯WO |
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搜索关键词: | 一种 快速 生长 超薄 尺寸 过渡 金属 硒化物 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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