[发明专利]一种快速生长超薄大尺寸单晶过渡金属硫/硒化物的方法在审
| 申请号： | 202011531495.2 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112695381A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 沈俊;鄢江兵;湛立;王旭;张鑫;崔恒清 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/46 |
| 代理公司： | 北京元本知识产权代理事务所(普通合伙) 11308 | 代理人： | 金海荣 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明属于电子元器件领域，具体涉及一种快速生长超薄大尺寸单晶硫化钨的方法。该方法为：S1:一定量高纯硫于石英舟中放置于小石英管的上游；一定量高纯WO |
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| 搜索关键词： | 一种 快速 生长 超薄 尺寸 过渡 金属 硒化物 方法 | ||
【主权项】：
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