[发明专利]一种快速生长超薄大尺寸单晶过渡金属硫/硒化物的方法在审

专利信息
申请号: 202011531495.2 申请日: 2020-12-22
公开(公告)号: CN112695381A 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: 沈俊;鄢江兵;湛立;王旭;张鑫;崔恒清 申请(专利权)人: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
主分类号: C30B25/02 分类号: C30B25/02;C30B29/46
代理公司: 北京元本知识产权代理事务所(普通合伙) 11308 代理人: 金海荣
地址: 400714 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明属于电子元器件领域,具体涉及一种快速生长超薄大尺寸单晶硫化钨的方法。该方法为:S1:一定量高纯硫于石英舟中放置于小石英管的上游;一定量高纯WO3粉体于石英舟中放置于小石英管的下游;并将硅或二氧化硅衬底氧化层面向下放置于放置高纯WO3粉体的石英舟表面;S2:调节氩气和氢气尽可能清除管内氧气;S3:开始加热,氩气保持40±0.05sccm;达到预设温度后,调节氩气和氢气流量,气压保持为常压;然后生长5±0.5min得单晶硫化钨。该方法简单,而且能制备出大尺寸单晶组成的连续薄膜。
搜索关键词: 一种 快速 生长 超薄 尺寸 过渡 金属 硒化物 方法
【主权项】:
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