[发明专利]一种半导体器件的衬底结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011531763.0 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112635623A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;唐松 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/20;H01S5/20;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的衬底结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底层，在衬底层上同层设置第一外延生长层和第二外延生长层，第一外延生长层和第二外延生长层为电流阻挡层，衬底层在第一外延生长层和第二外延生长层之间的部分为通道区，第一外延生长层、第二外延生长层与通道区的顶面位于同一平面，平面与衬底层的底面平行。通过第一外延生长层和第二外延生长层的电流阻挡作用，使得电流的扩散区域以及电流的流经路径得到有效控制，进而提高器件的电光转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 衬底 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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