[发明专利]利用磁控溅射在硅衬底上制备氮化锆薄膜的方法有效
| 申请号： | 202011533232.5 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112746320B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 高洁;杨少延;魏洁;魏鸿源;陈怀浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;南京佑天金属科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/06 | 分类号： | C30B25/06;C30B25/10;C30B25/16;C30B25/18;C30B29/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用磁控溅射在硅衬底上制备氮化锆薄膜的方法，包括：将清洗后的硅衬底和金属锆靶材置于预设真空条件下的生长室中；在预设温度下对硅衬底表面进行烘烤和反溅射干式清洗预处理；对金属锆靶材表面进行射频磁控溅射预处理；利用射频磁控溅射工艺在硅衬底表面上沉积金属锆层；降低氩气流量并向生长室中通入氮气，利用反溅射工艺将沉积的金属锆层氮化形成氮化锆成核层；利用直流磁控溅射工艺，在氮化锆成核层上沉积氮化锆薄膜；关闭氩气并将衬底加热温度升至预设退火温度，在氮气的气氛条件下，对氮化锆薄膜进行退火处理；调控生长室内氮气压强，按照预设降温速率将衬底加热温度降至室温，得到氮化锆薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 磁控溅射 衬底 制备 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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