[发明专利]一种利用Si或SiC晶体薄膜生长的氯基CVD制程尾气制备氯甲烷的方法在审
| 申请号： | 202011533724.4 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112661598A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 汪兰海;钟娅玲;钟雨明;陈运;唐金财;蔡跃明 | 申请（专利权）人： | 浙江天采云集科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C07C17/16 | 分类号： | C07C17/16;C07C19/03;C07C17/383 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用Si/SiC晶体薄膜生长的氯基CVD制程尾气FTrPSA制备氯甲烷方法，通过预处理、氯硅烷喷淋吸收、多级蒸发/压缩/冷凝、HCl精制、氯硅烷氢氯化反应、洗涤吸收、氯甲烷精馏及氯硅烷中浅冷精馏工序，利用Si/SiC晶体或薄膜生长的氯基CVD制程尾气中有效组分HCl、氯硅烷等与甲醇反应，从而获得高纯度高收率的氯甲烷及多氯甲烷产品，解决了氯基CVD制程尾气中含有的不易燃烧的HCl组分的再利用，并利用尾气中主要的可燃性组分，如H2、CH4等作为燃料气用于本发明中的氯甲烷氢氯化反应的加热或吸附再生载气，减少了尾气排放，弥补了氯基CVD制程尾气处理技术的空白。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 si sic 晶体 薄膜 生长 cvd 尾气 制备 甲烷 方法 | ||
【主权项】：
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