[发明专利]一种高速LVDS阻态控制电路及控制方法在审
申请号: | 202011534050.X | 申请日: | 2020-12-24 |
公开(公告)号: | CN112751549A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 刘颖;田泽;吕俊盛;邵刚;马洁;李嘉 | 申请(专利权)人: | 西安翔腾微电子科技有限公司 |
主分类号: | H03K3/033 | 分类号: | H03K3/033 |
代理公司: | 西安匠成知识产权代理事务所(普通合伙) 61255 | 代理人: | 商宇科 |
地址: | 710054 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种高速LVDS阻态控制电路及控制方法。本发明包括LVDS驱动电路、第一组态控制单元和第二组态控制单元,LVDS驱动电路包括pmos管P1、pmos管P2、nmos管N1、nmos管N2、电阻R、电压源VDD、电流源I1和电流源I2,电压源VDD通过电流源I1分别接入pmos管P1的源端和pmos管P2的源端,pmos管P1的漏端接nmos管N1的源端,pmos管P3的漏端接nmos管N2的源端,nmos管N1的漏端和nmos管N2的漏端和地之间接有电流源I2,pmos管P1的漏端和nmos管N1的源端与pmos管P2的漏端和nmos管N2的源端之间接有电阻R,第一组态控制单元的两路输出信号Out_m和Out_n分别接入pmos管P1的栅极和pmos管P2的栅极,第二组态控制单元的两路输出信号Out_p和Out_q分别接入nmos管N1的栅极和nmos管N2的栅极。本发明可以实现LVDS驱动电路的高阻态输出。 | ||
搜索关键词: | 一种 高速 lvds 控制电路 控制 方法 | ||
【主权项】:
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