[发明专利]一种高压SiC MOSFET漏源极间非线性电容测量及建模方法有效
| 申请号： | 202011534487.3 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112630544B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 王来利;李华清;杨成子;朱梦宇 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26;G01R31/26;G06F30/3308 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高压SiC MOSFET漏源极间非线性电容测量及建模方法，包括以下步骤：1)进行米勒平台外的漏源极间电容C |
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| 搜索关键词： | 一种 高压 sic mosfet 漏源极间 非线性 电容 测量 建模 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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