[发明专利]具有与屏蔽件解耦的磁性籽层的双自由层读取器头在审
| 申请号： | 202011535194.7 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114664330A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | X.刘;J.李;G.M.B.德阿尔伯克基;D.毛里;Y.奥卡达 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G11B5/11 | 分类号： | G11B5/11;G11B5/31;G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开总体上涉及包括双自由层(DFL)结构的磁性读取头。磁性读取头包括第一屏蔽件、第二屏蔽件，以及设置在第一屏蔽件与第二屏蔽件之间的DFL结构。DFL结构包括磁性籽层、第一自由层和第二自由层。非磁性间隔体层在面向介质表面处设置在第一屏蔽件与DFL结构的磁性籽层之间且与第一屏蔽件和DFL结构的磁性籽层接触。选择非磁性间隔体层的材料和厚度以控制第一屏蔽件与DFL结构的磁性籽层之间的耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 屏蔽 件解耦 磁性 自由 读取器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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