[发明专利]半导体存储器装置及其形成方法在审
| 申请号： | 202011535585.9 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113496731A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 祐川光成 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/4063;G11C11/4067 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体存储器装置及其形成方法。一种半导体存储器装置，其包含：存取晶体管，其配置为包括沟道部分和一对源极/漏极区的竖直晶体管；存储电容器，其连接到所述一对源极/漏极区中的一者；位线，其连接到所述一对源极/漏极区中的另一者；第一半导体层，其设置在所述源极/漏极区中，所述位线连接到所述第一半导体层。优选地，所述第一半导体层包括SiGe。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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