[发明专利]具有过流保护功能的多级大电流MOSFET驱动电路在审
申请号: | 202011536960.1 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN112615532A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 王颇;王超;李卢毅;姜哲;杨志达;董海星;张俐 | 申请(专利权)人: | 扬州曙光光电自控有限责任公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02H7/12 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 薛云燕 |
地址: | 225131 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种具有过流保护功能的多级大电流MOSFET驱动电路,包括一级驱动电路、过流检测电路、二级驱动电路和并联设置的两个MOSFET;一级驱动电路用于进行过流检测,一级驱动电路的端口IN接收控制侧的PWM信号;端口CS与过流检测电路连接,进行过流判断;端口FAULT将过流信号反馈到控制侧,发出过流警报;过流检测电路用于检测流过MOSFET的电流大小,并将电流数据传输至一级驱动电路;二极驱动电路输入侧与一级驱动电路连接,输出侧与MOSFET的栅极连接,用于驱动MOSFET。本发明外围电路简单,集成度高,提升了伺服驱动器的功率密度,提高了MOSFET驱动电路的安全性。 | ||
搜索关键词: | 具有 保护 功能 多级 电流 mosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】:
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
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