[发明专利]一种基于MOSFET的过流检测保护电路在审
| 申请号： | 202011537115.6 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112821886A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 吴瀛喆;马壮;王帅;郭大猛 | 申请（专利权）人： | 重庆两江卫星移动通信有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 张超 |
| 地址： | 401120 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于MOSFET的过流检测保护电路，属于电力电子领域。电路包括检测电路和保护电路，所述检测电路用于对MOSFET晶体管过流的检测，所述保护电路用于MOSFET晶体管的过流保护，所述保护电流包括门极驱动模块和放大电路模块，门极驱动模块接收来自检测电路的检测信号，并触发门极驱动模块的内部逻辑，发生过流现象时关断MOSFET的驱动信号。同时在检测电路中加入外部电阻及检测电容，通过调节检测电容容值和外部电阻阻值可调节过流检测时间，同时本发明可配置外部电阻和检测电容完成对高速开关器件碳化硅MOSFET等MOSFET晶体管的过流检测和保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mosfet 检测 保护 电路 | ||
【主权项】：
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