[发明专利]半导体装置及其接合方法在审
| 申请号： | 202011537706.3 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114582858A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 丘世仰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其接合方法，半导体装置的接合方法包括：提供第一半导体结构，第一半导体结构具有第一基板、第一金属特征及绝缘层，第一金属特征设置于第一基板上，且绝缘层设置于第一金属特征上，其中绝缘层具有开口，开口露出第一金属特征。提供第二半导体结构，第二半导体结构具有第二基板及第二金属特征，第二金属特征位于第二基板下方。第一半导体结构接触第二半导体结构，使得第二金属特征位于绝缘层的开口内。以及对第二金属特征执行电镀工艺，使得第二金属特征延伸并接触第一金属特征。借此，第一半导体结构及第二半导体结构具有优异的相互对位功能，以便于对第一半导体结构及第二半导体结构进一步执行接合工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 接合 方法 | ||
【主权项】：
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