[发明专利]具有与晶体管栅极叠层分离的铁电电容器的存储器单元在审
申请号: | 202011539300.9 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN113823635A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | N·哈拉蒂波尔;S·希瓦拉曼;S-C·常;J·T·卡瓦莱罗斯;U·E·阿夫西;林家庆;成承训;A·V·佩努马特查;I·A·扬;D·R·梅里尔;M·V·梅茨;I-C·童 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/1159 | 分类号: | H01L27/1159;H01L23/522;H01L27/11595 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 叶晓勇;姜冰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开的发明名称是“具有与晶体管栅极叠层分离的铁电电容器的存储器单元”。本文中描述了铁电(FE)存储器单元,其包含具有与这些单元的FE电容器分离的栅极叠层的晶体管。示例存储器单元可被实现为包含支持结构(例如,衬底)和提供在支持结构之上并包含栅极叠层的晶体管的IC装置。该IC装置还包含FE电容器,该FE电容器具有第一电容器电极、第二电容器电极和在第一电容器电极与第二电容器电极之间的FE材料的电容器绝缘体,其中FE电容器与栅极叠层分离(即,不集成在栅极叠层内,并且不具有作为栅极叠层一部分的任何层)。该IC装置进一步包含互连结构,该互连结构被配置成将栅极叠层和第一电容器电极电耦合。 | ||
搜索关键词: | 具有 晶体管 栅极 分离 电容器 存储器 单元 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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