[发明专利]具有低门槛电压的SiC绝缘栅双极晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202011540200.8 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112670338A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 王曦;董青杨;蒲红斌;胡继超;解勇涛;孙天博 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/16;H01L21/331 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 戴媛 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有低门槛电压的SiC绝缘栅双极晶体管，包括第一外延层，第一外延层之下依次设置有第二、第三、第四外延层；第四外延层的凸台之间设置有集电区；第四外延层及集电区下表面共同设置有集电极PAD；第一外延层上部的平台周围套装有阱区，该阱区上套装有源区，阱区和源区周围设置有重掺杂区；第一外延层、阱区以及源区部分上表面共同设置有栅氧化层；栅氧化层上表面覆盖有多晶硅栅；多晶硅栅及栅氧化层共同覆盖有场氧；重掺杂区、源区部分、场氧上表面及侧壁共同覆盖有发射极PAD。本发明还公开了该具有低门槛电压的SiC绝缘栅双极晶体管的制造方法。本发明的器件，降低了SiC IGBT的门槛电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 门槛 电压 sic 绝缘 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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