[发明专利]SMD石英晶体谐振器抗冲击结构在审

专利信息
申请号: 202011540745.9 申请日: 2020-12-23
公开(公告)号: CN112564668A 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 逄杰;孟昭建;王占奎;刘兰坤;徐淑一;牛占鲁;宋学峰;杨晓雷;戴文涛;田树蕾;高畅 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: H03H9/19 分类号: H03H9/19
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 付晓娣
地址: 050051 *** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明提供了一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构,属于电子元器件技术领域,包括:管壳、缓冲晶片和谐振晶片;管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线,第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点,第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点,缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点;第一金属引线通过下层第一导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第一导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通;第二金属引线通过下层第二导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第二导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通。本发明通过缓冲晶片和导电胶粘接,实现晶体的抗冲击性能。
搜索关键词: smd 石英 晶体 谐振器 冲击 结构
【主权项】:
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