[发明专利]一种SiC MOSFET反向转移电容测量方法

摘要

本发明公开了一种SiC MOSFET反向转移电容测量方法，包括以下步骤：栅极驱动器输出的高电平电压Vgg、下桥臂SiC MOSFET的漏极外接引线端子G与母线电源的负极性端子S’之间的电压uGS’、外加驱动电阻Rg_de、栅极驱动器内部驱动电阻Rg_dr、下桥臂SiC MOSFET的栅漏极PCB布线产生的杂散电容Cdg’、SiC MOSFET漏源极电容两端的电压uDS及SiC MOSFET漏栅极电容两端的电压uDG，得SiC MOSFET的反向转移电容Cdg，该方法能够较为准确测量SiC MOSFET的反向转移电容，且测量较为简单。