[发明专利]一种分层组装纳米电极改善二氧化锰超容性能的方法在审
| 申请号： | 202011541781.7 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112735843A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王连卫;曲艺鸿;严晨欢;徐少辉;熊大元 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01G11/46 | 分类号： | H01G11/46;H01G11/30;H01G11/40;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 胡永宏 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种分层组装纳米电极改善二氧化锰超容性能的方法。本发明是为了解决二氧化锰作为超级电容器性能不好的问题。本发明的二氧化锰是生长在已经诱导生长了氮化钛的石墨毡材料上。该发明中分层组装纳米电极的制备方法如下：一、按比例称量、混合原料；二、基底材料浸泡制作种子；三、洗涤、真空干燥；四、水热反应；五、管式炉氮化；六、水热反应；七、洗涤、真空干燥。本发明的优点在于：种子诱导生成的二氧化钛会完全且均匀包覆石墨毡，氮化后生成的氮化钛保留了二氧化钛的形貌，这种氮化钛纳米阵列为后续二氧化锰的生长提供了适宜的环境，生长的二氧化锰纳米片均匀覆盖在氮化钛的表面，从而增加了材料的比表面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分层 组装 纳米 电极 改善 二氧化锰 性能 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东师范大学，未经华东师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011541781.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：化妆品管件切管设备
- 下一篇：一种电子接插件的斜槽切割方法
