[发明专利]晶圆抓取结构、晶圆开槽设备及晶圆开槽方法有效
申请号: | 202011542154.5 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN112864082B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 施心星 | 申请(专利权)人: | 苏州镭明激光科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/68;H01L21/67;H01L21/302 |
代理公司: | 北京恒博知识产权代理有限公司 11528 | 代理人: | 范胜祥 |
地址: | 215123 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种晶圆抓取结构、晶圆开槽设备及晶圆开槽方法,晶圆开槽设备的抓料装置带动抓取晶圆的两组晶圆抓取结构分步移动,以实现先带动晶圆在涂胶装置内涂胶,再带动晶圆放置于载料装置上,由载料装置带动表面涂胶的晶圆移动至与激光开槽装置对接,激光开槽装置向表面涂胶的晶圆发射激光实现在与晶圆无接触的情况下对晶圆表面开槽,有效确保在晶圆表面开槽的加工效果,提高产品良率。其中,晶圆抓取结构分两步完成晶圆的抓取工作可灵活地夹持多种尺寸的晶圆,提高晶圆抓取结构的适用性。将晶圆抓取结构安装于晶圆开槽设备对晶圆表面开槽的过程中,还可确保晶圆转移过程中的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 抓取 结构 开槽 设备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州镭明激光科技有限公司,未经苏州镭明激光科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011542154.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种建筑废铁的清洗装置
- 下一篇:一种爽肤粉制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造