[发明专利]一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法在审
| 申请号： | 202011542807.X | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112725889A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王万华;李英涛;皮小争;崔彬;吴志强;刘斌 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司;山东有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/22;C30B15/04 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法，其特征在于，在单晶的收尾过程中，通过控制收尾的拉速和温度，使尾部形状中出现一段与等径部分形状相同的圆柱形；如果收尾完好，可以清晰的看到“胞线”，表明硅单晶尾部无位错，单晶完好；如果收尾不完好，可以明显看到“断胞”的位置；从“断胞”的位置反切1.08～1.15倍直径，获得无位错硅单晶。本发明通过改进直拉法生长重掺锑硅单晶的收尾工艺，控制尾部形状，可以准确判断出“断胞”位置，从而得到无位错硅单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 控制 收尾 形状 获得 无位错重掺锑硅单晶 方法 | ||
【主权项】：
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