[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202011543029.6 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112670825A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;唐松 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，在衬底层形成第一电流阻挡区和第二电流阻挡区，衬底层在第一电流阻挡区和第二电流阻挡区之间的部分为通道区。在形成有第一电流阻挡区、通道区和第二电流阻挡区的衬底层上形成下包层、波导层及脊形成层。对脊形成层图案化形成具有脊条结构的脊条层。通过图案化使得脊形成层部分区域被刻蚀，即脊条结构对应的在衬底层上的正投影的面积相对刻蚀前变小。脊条结构配合通道区可以对电流的路径进行有效的控制，使得电流更加集中，进而提高器件的电光转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于度亘激光技术（苏州）有限公司，未经度亘激光技术（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011543029.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
