[发明专利]具有延伸栅极结结构的垂直串驱动器在审
| 申请号： | 202011543152.8 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN113451316A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 冀东;黄广宇;D·蒂梅高达 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于三维(3D)存储器器件的驱动器电路，其具有超级结结构作为场管理结构。超级结结构可以称为延伸结结构，其在用于串驱动器的垂直沟道与栅极导体之间分布结的电场。垂直沟道包括垂直连接在源极导体与漏极导体之间的沟道导体。延伸结结构平行于垂直沟道导体延伸，延伸结结构朝向漏极导体垂直延伸，延伸结结构具有大于栅极导体的高度的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 延伸 栅极 结构 垂直 驱动器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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