[发明专利]对铜金属层进行CMP处理的方法有效
| 申请号： | 202011543432.9 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112677031B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 许力恒;夏汇哲;李松;宋振伟;张守龙 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/00 | 分类号： | B24B37/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种对铜金属层进行CMP处理的方法，涉及半导体制造领域。该对铜金属层进行CMP处理的方法包括将表面沉积有铜的衬底传送至CMP机台，将所述衬底固定在CMP机台的新研磨头上；对所述衬底表面进行预研磨，令所述衬底边缘区域的铜厚度大于所述衬底中心区域的铜厚度；对所述衬底进行主研磨，对衬底表面的铜金属层进行平坦化处理；解决了目前CMP机台上新的研磨头会导致衬底边缘区域出现铜残留缺陷的问题；达到了减少CMP处理后衬底边缘出现的铜残留缺陷的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 进行 cmp 处理 方法 | ||
【主权项】：
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