[发明专利]增强型功率半导体器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011543478.0 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112670341B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 曾巧玉;李成果;姜南;尹雪兵;葛晓明;曾昭烩;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 李彬彬;陈莉娥 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种增强型功率半导体器件结构及其制备方法，其中，该器件包括具有2DEG的异质结；位于异质结上方的源电极、具有台阶式结构的p型栅和漏电极；以及设置于p型栅上的栅电极；台阶式结构中的至少部分台阶段是以p型栅的厚度最大的台阶段为起始点向漏电极侧延伸的减薄台阶段，栅电极设置于p型栅的厚度最大的台阶段上，且厚度最大的台阶段的厚度设置成能够使得位于栅电极下方的异质结中的2DEG耗尽。本发明的技术方案缩小了相邻台阶段下方的异质结中的2DEG密度差距，尤其是p型栅漏电极侧的异质结与相邻处台阶段下方的异质结中的2DEG密度差距，避免了栅漏间电场因存在2DEG密度陡变的界面会导致击穿电压降低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 功率 半导体器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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