[发明专利]一种新型互联耐高压耗尽型功率SIC MOSFETs器件和模块在审
| 申请号： | 202011545133.9 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112670345A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈宇;严丽红;辛藤 | 申请（专利权）人： | 张家港迪源电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人： | 吴倩 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明适用于功率半导体技术领域，提供了一种新型互联耐高压耗尽型功率SICMOSFETs器件和模块，通过设置包括SIC衬底、SIC外延层、二维材料薄膜层、氧化物薄膜层和栅电极层、阳极金属；SIC衬底的底部设置有阳极金属；SIC外延层设置在SIC衬底的顶部；二维材料薄膜层位于SIC外延层的顶部；氧化物薄膜层设置在二维材料薄膜层的顶部；栅电极层设置在氧化物薄膜层的顶部，从而可以制备本发明的互联耐高压耗尽型功率SICMOSFETs器件，适用范围更广，适用更安全。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 互联耐 高压 耗尽 功率 sic mosfets 器件 模块 | ||
【主权项】：
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