[发明专利]一种SIC功率半导体器件及其模块有效
| 申请号： | 202011545198.3 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112670346B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 陈宇;严丽红;辛藤 | 申请（专利权）人： | 芯合半导体（合肥）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 罗炳锋 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市肥西县经济开发区拓*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明适用于功率半导体技术领域，提供了一种SIC功率半导体器件及其模块，通过设置SIC衬底、SIC外延层、绝缘层、源极、栅极和漏极；并且SIC外延层形成于SIC衬底的顶部；SIC外延层的顶部具有相对设置的第一区域和第二区域，SIC外延层的顶部覆盖有绝缘层，绝缘层具有两个对称设置的通孔，两个通孔内分别设置有源极和漏极，源极接触第一金属层，漏极接触第二金属层；栅极设置在绝缘层的上表面且位于源极和漏极之间。从而实现具有高耐压性能和低开启电压的功率半导体，使用更安全，适用范围更广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 功率 半导体器件 及其 模块 | ||
【主权项】：
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