[发明专利]三维存储器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011545703.4 申请日: 2020-12-24
公开(公告)号: CN112687699A 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 陆智勇;彭盛;余凯;高晶;周文斌;董明;霍宗亮 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L27/1157 分类号: H01L27/1157;H01L27/11582
代理公司: 北京海智友知识产权代理事务所(普通合伙) 11455 代理人: 吴京顺
地址: 430000 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括:在衬底上形成叠层结构,并在叠层结构中形成沟道孔;在沟道孔的靠近衬底的底面形成第一外延层;在第一外延层的远离所述衬底的上表面和沟道孔的内侧壁上依次形成功能层和非晶硅层;在叠层结构的远离衬底的顶面形成诱发金属薄膜;以及使非晶硅层与诱发金属薄膜接触,以诱发结晶形成多晶硅沟道层。根据该制备方法,可使由双堆叠或多堆叠工艺制备的三维存储器具有高质量的多晶硅沟道层。
搜索关键词: 三维 存储器 及其 制备 方法
【主权项】:
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