[发明专利]低电阻率P型4H-SiC单晶及制备方法在审
| 申请号： | 202011548190.2 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112725894A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 陈秀芳;仲光磊;谢雪健;杨祥龙;彭燕;胡小波;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 山东宏康知识产权代理有限公司 37322 | 代理人： | 宫秀秀 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种低电阻率P型4H‑SiC单晶及制备方法，采用碳化硅生长仿真软件，对物理气相传输法生长晶体的过程模拟，获取将不可监测的坩埚内各点温度、物质输运流线、剩料形状及结晶度等，根据SiC单晶的生长过程中在各预设时间节点的物质传输路径及SiC粉料状态图、坩埚内的温场图，获得模型中的温场、热扩散、物质传输和表面动力学。然后，将模拟的结果进行分析，选择的生长温度和生长压力、Al源释放器在坩埚中的放置位置，并利用PVT单晶生长炉对p型4H‑SiC单晶进行实际生长，进而可以提高掺杂均匀性，获得质量良好的P型4H‑SiC单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 sic 制备 方法 | ||
【主权项】：
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