[发明专利]一种在蛋白质基底上制备大批量p型薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 202011548866.8 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112736033B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 杨帆;王超;王艳杰;闫兴振;王欢;高晓红;吕卅;杨佳;赵春雷;赵阳;吴博琦;迟耀丹;杨小天;龙玉洪;蔡乾顺 | 申请（专利权）人： | 吉林建筑大学 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;C23C14/04;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人： | 刘小娇 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在蛋白质基底上制备大批量p型薄膜晶体管的方法，包括：步骤一、在聚酰亚胺衬底上沉积牺牲层；步骤二、将第一掩模板覆盖在牺牲层上，进行保护层沉积，得到第一基底；步骤三、将第二掩模板覆盖在第一基底上，进行源漏电极沉积，得到第二基底；步骤四、将第三掩模板覆盖在第二基底上，进行有源层沉积，得到第三基底；步骤五、将第三基底进行退火后，在第三基体上进行绝缘层沉积，得到第四基底；步骤六、在第四基底上进行栅电极沉积，使栅电极包围式设置在绝缘层外侧；步骤七、将蛋白质溶液涂覆于与栅电极外侧，得到初级器件；步骤八、使用盐酸溶液将牺牲层溶解后，将聚酰亚胺衬底剥离，得到在蛋白基底上可降解的p型薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蛋白质 基底 制备 大批量 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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