[发明专利]可变电阻存储器件在审
| 申请号： | 202011549772.2 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN113054100A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 金世润;金真弘;水崎壮一郎;尹政昊;曹永真 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王华芹;金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括包含第一金属氧化物材料的第一层和在第一层上的第二层，且第二层包括第二金属氧化物材料。第二金属氧化物材料具有与第一金属氧化物材料的金属化合价不同的金属化合价。第一导电元件和第二导电元件在可变电阻层上并且彼此分开以在可变电阻层中在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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