[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202011549892.2 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN113053758A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈建勋;余振华;吴俊毅;吴凯强;梁裕民;王彦评 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/498;H01L23/538 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开内连线器件、封装半导体器件及其制造方法，其涉及将局部硅内连线(LSI)器件和衬底穿孔(TSV)嵌入到具有紧凑封装结构的集成衬底上系统(SoIS)技术中。局部硅内连线器件可运用衬底穿孔集成嵌入到集成衬底上系统技术中，从而为集成衬底上系统器件中的衬底技术的超大集成扇出(InFO)提供管芯到管芯精细线连接布置。此外，可使用光刻或光刻胶限定的通孔来形成衬底穿孔连接层，以向球栅阵列封装(BGA)连接接口提供嵌入式局部硅内连线电源和接地输出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
