[发明专利]接触孔中填充多晶硅的方法在审
| 申请号： | 202011553806.5 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114678325A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 崔锺武;金成基;刘金彪;杨涛;贺晓彬;项金娟;王垚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种接触孔中填充多晶硅的方法。接触孔中填充多晶硅的方法包括：在半导体衬底上形成接触孔；在所述接触孔的底壁和侧壁上沉积第一层多晶硅，然后向所述第一层多晶硅内注入离子；在所述第一层多晶硅的表面沉积第二层多晶硅，以填充所述接触孔，然后进行退火处理。本发明分两个阶段填充多晶硅作为导电介质，能够提高介质的致密度和膜均匀性，减小接触电阻，并且工序条件都可控，影响因素少，得到的器件批次间一致性高。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 填充 多晶 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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