[发明专利]一种激光器外延结构及其制作方法、VCSEL芯片在审
| 申请号： | 202011557123.7 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112615257A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;童吉楚;谢昆江;徐枫 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照激光芯片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种激光器外延结构及其制作方法、VCSEL芯片，其中激光器外延结构包括：依次堆叠的衬底、缓冲层、N型DBR层、有源区、氧化层、P型DBR层及P型欧姆接触层；所述N型DBR层和P型DBR层分别包括若干组交替生长的低折射率物质层和高折射率物质层，且所述低折射率物质层和所述高折射率物质层界面之间形成隧穿结，可以提高激光器内量子效应，有效提升激光器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光器 外延 结构 及其 制作方法 vcsel 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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