[发明专利]硅光芯片背入射光栅耦合结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202011557294.X | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112630901A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 孙瑜;曹立强;刘丰满;隗娟 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅光芯片背入射光栅耦合结构及其制作方法，包括：制作基板，所述基板包括底层基板层、中间基板层及顶层基板层；在顶层基板层上形成光通路结构层，所述光通路结构层具有光栅结构；在光通路结构层上形成介质层；在介质层上形成金属层，其包括与光栅结构位置相匹配的反射部件；在金属层上形成载片；在底层基板层中与反射部件相匹配的位置刻蚀形成光纤容置腔室；去除载片；将光学部件固定于光学部件容置腔室中。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 入射 光栅 耦合 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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