[发明专利]具有再分布层和EMIB连接器的集成光子器件和处理器封装在审
| 申请号： | 202011557529.5 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113851471A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | S·贾达夫;K·布朗;D·辉;L·廖;S·S·伊斯兰 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述的实施例可以涉及与包括经由互连桥电耦合的CPU和PIC的封装相关的装置、工艺和技术。在实施例中，PIC使用扇出RDL与EMIB电耦合，以延伸PIC电连接器的可及范围。EIC可以电耦合在PIC与互连桥之间。CPU可以是CPU、图形处理单元(GPU)、现场可编程门阵列(FPGA)、或其他处理器。可以描述和/或要求保护其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 再分 emib 连接器 集成 光子 器件 处理器 封装 | ||
【主权项】：
暂无信息
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