[发明专利]用于集成高密度缩放器件的自对准前端电荷俘获闪存存储单元和电容器设计

摘要

本文所公开的实施例包括半导体器件和形成这种器件的方法。在实施例中，所述半导体器件包括：衬底和衬底上的晶体管。在实施例中，晶体管包括：第一栅极电极，其中，第一栅极电极是具有第一间距的第一栅极电极阵列的一部分。在实施例中，第一栅极电极具有第一平均晶粒尺寸。在实施例中，半导体器件还包括在衬底上的部件单元。在实施例中，部件单元包括：第二栅极电极，其中，第二栅极电极是具有大于第一间距的第二间距的第二栅极电极阵列的一部分。在实施例中，第二栅极电极具有大于第一平均晶粒尺寸的第二平均晶粒尺寸。