[发明专利]固体摄像元件及固体摄像元件的制造方法在审
申请号: | 202011558164.8 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN114678385A | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 小谷成望;藤田庆 | 申请(专利权)人: | 凸版印刷株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 戚宏梅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及固体摄像元件及固体摄像元件的制造方法。固体摄像元件具备:半导体基板,具有二维地排列的多个光电变换元件;第一光路层,设置于半导体基板的一面侧;第二光路层,设置于第一光路层的与半导体基板相反侧的面上;遮光层,形成在第一与第二光路层之间;和多个微透镜,二维地配置在第二光路层的与遮光层相反侧的面上,遮光层在与光电变换元件对应的位置形成有开口部,在沿着遮光层的厚度方向且经过开口部的截面中,开口部的沿厚度方向的高度尺寸为b,开口部的沿与厚度方向正交的方向的开口尺寸为a,b/a即纵横比为α,满足a≥3μm且α≥1,开口部中以与其相同的形状形成有光可透射的柱状构造,构成柱状构造的光致抗蚀剂为负性。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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