[发明专利]一种气相沉淀设备及其晶圆加热载台和加热方法在审
申请号: | 202011558184.5 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN114672789A | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 郭挑远;白国斌;高建峰;王桂磊;丁云凌;崔恒玮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/46 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种气相沉淀设备及其晶圆加热载台和加热方法,包括:载台本体、顶针本体以及加热装置;加热装置设置在顶针本体中;载台本体设置有通孔,顶针本体穿过通孔;顶针本体用于承接晶圆并将晶圆放置在载台本体的上表面,其中,加热装置对顶针本体加热,顶针本体与载台本体共同向晶圆传热。本申请通过在顶针本体中加设加热装置,使得加热装置对顶针本体进行加热,顶针本体和载台本体共同对晶圆传热,顶针本体可以减少通孔中损失的热量,或者弥补通孔中损失的热量,进而减轻晶圆在载台本体上受热不均的程度,或避免晶圆在载台本体上出现受热不均的现象,进而可以加快晶圆上表面薄膜的形成速度,增加薄膜的厚度,提高晶圆表面成膜的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 沉淀 设备 及其 加热 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司,未经中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011558184.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体器件互连的方法
- 下一篇:食物处理机
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的