[发明专利]一种气相沉淀设备及其晶圆加热载台和加热方法在审

专利信息
申请号: 202011558184.5 申请日: 2020-12-25
公开(公告)号: CN114672789A 公开(公告)日: 2022-06-28
发明(设计)人: 郭挑远;白国斌;高建峰;王桂磊;丁云凌;崔恒玮 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458;C23C16/46
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 房德权
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种气相沉淀设备及其晶圆加热载台和加热方法,包括:载台本体、顶针本体以及加热装置;加热装置设置在顶针本体中;载台本体设置有通孔,顶针本体穿过通孔;顶针本体用于承接晶圆并将晶圆放置在载台本体的上表面,其中,加热装置对顶针本体加热,顶针本体与载台本体共同向晶圆传热。本申请通过在顶针本体中加设加热装置,使得加热装置对顶针本体进行加热,顶针本体和载台本体共同对晶圆传热,顶针本体可以减少通孔中损失的热量,或者弥补通孔中损失的热量,进而减轻晶圆在载台本体上受热不均的程度,或避免晶圆在载台本体上出现受热不均的现象,进而可以加快晶圆上表面薄膜的形成速度,增加薄膜的厚度,提高晶圆表面成膜的效率。
搜索关键词: 一种 沉淀 设备 及其 加热 方法
【主权项】:
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