[发明专利]在其虚设阵列上具有短路结构的存储器阵列及其提供方法在审
| 申请号： | 202011558658.6 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113851160A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | J·B·帕特尔;E·弗洛雷斯三世;K·哈斯纳特;M·F·海因曼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C8/16 | 分类号： | G11C8/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘文灿 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法、存储器设备和系统。存储器设备包括：有源存储器阵列，包括存储器单元和地址线，该地址线包括位线(BL)和字线(WL)，每个存储器单元连接在BL之一和WL之一之间；虚设阵列，其包括虚设地址线，该虚设地址线包括虚设BL和虚设WL；至少一个短路结构，其跨所述虚设地址线中的至少一些虚设地址线延伸并与之电接触，以将所述虚设地址线中的至少一些虚设地址线一起电短路；以及至少一个接触结构，其从虚设阵列延伸并电耦合至所述虚设地址线中的至少一些虚设地址线，以将所述虚设地址线中的至少一些虚设地址线连接至预定电压。 | ||
| 搜索关键词： | 虚设 阵列 具有 短路 结构 存储器 及其 提供 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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