[发明专利]一种室温条件下具有高空穴迁移率的齐聚物材料在审
| 申请号： | 202011559305.8 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112679530A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 邵静;程宏伟;屈苏平 | 申请（专利权）人： | 蚌埠学院 |
| 主分类号： | C07D519/00 | 分类号： | C07D519/00;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102 | 代理人： | 王琪;陆淑贤 |
| 地址： | 233030 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明涉及有机半导体领域，公开了一种室温条件下具有高空穴迁移率的齐聚物材料，该齐聚物材料具有如式(I)所示的结构通式，当共轭骨架上的两种烷基侧链R |
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| 搜索关键词： | 一种 室温 条件下 具有 空穴 迁移率 齐聚 材料 | ||
【主权项】：
暂无信息
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