[发明专利]具有增大的有效通道宽度的晶体管在审
申请号: | 202011560339.9 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN113053931A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 文成烈;郑荣友 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L29/423 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请案涉及具有增大的有效通道宽度的晶体管。图像传感器包含形成在衬底材料中的光电二极管及耦合到所述光电二极管的晶体管。所述晶体管具有形成在所述衬底材料中的沟槽结构,放置在所述衬底材料上的隔离层及放置在所述隔离层上且延伸到所述沟槽结构中的栅极。所述沟槽结构在通道宽度平面上具有多边形横截面,所述多边形横截面界定所述衬底材料的至少四个侧壁部分,此促成在所述通道宽度平面中测量的有效通道宽度,其比所述晶体管的平面通道宽度更宽。 | ||
搜索关键词: | 具有 增大 有效 通道 宽度 晶体管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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