[发明专利]一种提高AlN单晶质量的装置和方法在审
| 申请号： | 202011560565.7 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112746326A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨化兴软控科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 桑林艳 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体制造和工艺领域，具体为一种提高AlN单晶质量的装置和方法，是针对现有方法制备的晶体质量稳定性差的缺陷所提出，其包括：底座、钽坩埚、多晶片、导流罩、籽晶、碳化钽片和上盖，钽坩埚安装在底座与上盖之间，在钽坩埚的顶部开口上盖合有碳化钽片，其在碳化钽片内壁上粘贴有籽晶；多晶片和导流罩位于钽坩埚内，在钽坩埚内壁上加工有阶梯状台肩，阶梯状台肩与钽坩埚内底之间形成长晶区，长晶区用来放置长晶粉料，多晶片放置在长晶粉料上，导流罩安装在阶梯状台肩上，用来将长晶粉料生成的气体导向籽晶的中心处。本发明操作简单，安装方便，效果明显，大大提高了晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 aln 质量 装置 方法 | ||
【主权项】：
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