[发明专利]半导体工艺设备有效
申请号: | 202011561631.2 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN112795902B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 史晶;郑波;马振国 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体工艺设备,包括载气管、前驱物气源、进气管、工艺腔室、副产物检测器和管路清洁组件,其中,载气管用于将载气通入前驱物气源,前驱物气源用于产生前驱物气体,进气管用于将载气与前驱物气体的混合气体通入工艺腔室;副产物检测器设置在进气管路上,用于检测进气管中存在的前驱物气体的分解产物的浓度;管路清洁组件用于根据分解产物的浓度对进气管进行清洗。在本发明提供的半导体工艺设备中,管路清洁组件能够在颗粒物过多时及时对进气管进行清洗,以免进气管中的颗粒物随气体进入工艺腔室并附着在工艺腔室的内壁或承载盘等结构上,进而提高了半导体工艺的成膜质量,保证了产品良率和工艺一致性。 | ||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的