[发明专利]用于对邻近半导体裸片进行晶片级测试的方法和设备在审
申请号: | 202011562152.2 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN113129990A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | R·H·卡利亚;B·H·拉姆 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C29/12 | 分类号: | G11C29/12;G11C29/18 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及用于对邻近半导体裸片进行晶片级测试的方法和设备。使用存储器的内建自测试电路系统mBIST和划线并行地对半导体晶片的多个邻近半导体裸片进行晶片级测试,所述划线将半导体裸片的某些端子连接到邻近半导体裸片的端子。在所述晶片级测试期间,测试设置的探针连接到所述多个邻近半导体裸片中的单个半导体裸片,且mBIST命令从所述多个邻近半导体裸片中的所述单个半导体裸片传递到一或多个邻近半导体裸片。在一些实例中,所述划线将一个半导体裸片的mBIST电路端子连接到邻近半导体裸片的mBIST电路端子。在一些实例中,所述划线将一个半导体裸片的I/O端子连接到邻近半导体裸片的I/O端子。 | ||
搜索关键词: | 用于 邻近 半导体 进行 晶片 测试 方法 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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