[发明专利]一种硅基太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 202011562211.6 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113161431B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈骏 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王洋 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅基太阳能电池，包括依次设置的前电极、前减反射层、前发射电极、Si(p)硅基本征层、In掺杂层、量子点薄层、氧化铝背面钝化层、SixNy背面氮化硅层、铝背场层和背电极。本发明通过上述各个层依次设置，特别是掺杂层和量子点薄层的设置，在P型硅底层扩散ⅢA族其他元素形成P+层，然后镀上近红外光谱的吸收材料的量子点薄层，利用这种近红外光区的半导体材料对长波的吸收特性，增加光能的利用，提高光电的转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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