[发明专利]具有金属栅极切口和凹陷的电力轨的晶体管装置在审
| 申请号： | 202011562656.4 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113380880A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | A·C-H·韦;S·T·马;P·M·辛哈 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/088;H01L27/092;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述的是通过在去除栅极电极材料和周围的电介质两者的蚀刻工艺中将金属栅极切口形成为对栅极侧壁没有选择性的沟槽来制造的晶体管装置。与形成金属栅极切口的常规方法相比，这种蚀刻工艺可以在准确性、成本高效和设备性能方面提供改进。另外，如果金属栅极切口的沟槽至少部分地填充有导电材料，则可以使用这种工艺来提供电力轨。因为导电材料在沟槽中并且可以在鳍状物之间，而不是被设置在鳍状物之上，所以这种电力轨可以被称为“凹陷的”。提供凹陷的电力轨可以在减小金属线电阻和减小电压降方面提供改进。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 栅极 切口 凹陷 电力 晶体管 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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