[发明专利]晶圆变形的测量方法在审
| 申请号： | 202011562875.2 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN114678286A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 林锺吉;金在植;张成根;丁明正;贺晓彬;刘强;刘金彪;白国斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G06F30/20;G06F119/08 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的一种晶圆变形的测量方法，涉及半导体技术领域，包括如下步骤：测量晶圆不同区域之间或相同位置不同时段的温度差数据，将该温度差数据与晶圆对应区域的变形值建立相应的标准函数样本；根据所述标准函数样本判断不同晶圆在加热过程中的变形状态。在上述技术方案中，通过上述方式建立温度差数据与变形值相应的标准函数样本以后，就可以确定晶圆的温度与变形之间的函数关系，根据该标准函数样本的对应关系记载，此后仅通过测量晶圆不同区域之间的温度差数据，便可以直接确定晶圆对应区域的变形值，从而判断晶圆晶圆对应区域的变形情况，不必再通过单独的工序对晶圆的变形或翘曲情况进行单独的测量，只需要在加热晶圆时同步完成即可。 | ||
| 搜索关键词： | 变形 测量方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011562875.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
