[发明专利]掩模板图形OPC方法、掩模板图形、掩模板和终端设备在审
申请号: | 202011562977.4 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN112631067A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 夏明;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦天雷 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩模板图形OPC方法,包括:定义联通图形规则;根据所述规则通过设计规则检测在掩模板GDS图形标记出所有需要联通的图形;根据当前层设计规则和掩模等级定义需要联通图形的联通方式和联通尺寸;在掩模板GDS图形中加入联通图形;仅对掩模板GDS图形进行OPC修正,不修正联通图形,使联通图形不会被曝光;对加入联通图形的掩模板GDS图形进行OPC仿真检查,获得最终联通图形。本发明还公开一种通过所述掩模板图形OPC方法获得的掩模板图形,一种通过所述掩模板图形制造的掩模板以及一种用于执行所述掩模板图形OPC方法的终端设备。本发明制造的掩模板能消除静电对掩模板影响,从而使得掩模板上电荷不产生聚集现象,延长掩模板使用年限。 | ||
搜索关键词: | 模板 图形 opc 方法 终端设备 | ||
【主权项】:
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- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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