[发明专利]推挽结构输出电路在审
申请号: | 202011563490.8 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN112636743A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 徐迪恺 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭立 |
地址: | 201314*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种推挽结构输出电路,包括:输入端、输出端、第一电源(VDDH)、第二电源、多级推挽结构电路,所述多级推挽结构电路中包括N个PMOS管和N个NMOS管,N大于等于2,所述推挽结构输出电路还包括辅助电路,所述辅助电路与多级推挽结构电路和第二电源连接,使所述PMOS和NMOS的工作电压都不大于Vmax,Vmax为第二电源电压及第一电源与第二电源电压差中的较高值。 | ||
搜索关键词: | 结构 输出 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011563490.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。